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    晶控,您身邊的晶圓減背專家

    根植半導體晶圓片背面處理之細分領域,
    提供一站式、精細的減、背、劃代工服務;
    傾注半導體產業鏈微薄的有生力量,
    為奮進卓越的“中國芯”增效賦能。?

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    積淀,20年的真空鍍膜技術

    鍍膜技術的厚積薄發,設備資源高標準選配;
    技術團隊的的精雕細琢。
    匯聚交融,迸發精彩,
    成就細分領域最具可靠性的價值選擇。

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    敬畏心,面向尖端科學技術

    擁抱人類智慧的結晶,
    仰望未來科技發展的輝光。
    腳踏實地,審慎精進,
    孜孜不倦,堅實地書寫不一樣的向往。

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    芯技術

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    前瞻性,擁抱技術與變化

    瞄準半導體行業動態,
    探尋技術的更新迭代,
    不息為體,日新為道,
    把握時代脈膊,做最好的自己。

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    用“芯”服務,創造價值

    依托長三角區位發展優勢,
    提供便捷快速的產鏈服務,
    尊重信條,堅守承諾,
    追求卓越,贏得價值、尊嚴和口碑。

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    芯服務

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    芯代工——晶圓減薄

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    晶圓減?。?英寸)

    晶圓基材:硅基材質
    總厚度變化TTV:±3μm
    翹曲度Wrap:≤1mm
    粗糙度Ry(2000#):≤0.13μm
    Ra(2000#):0.065μm
    碎片率(150μm以上):1%

    晶圓減?。?英寸)

    晶圓基材:硅基材質
    總厚度變化TTV:±3μm
    翹曲度Wrap:≤1mm
    粗糙度Ry(2000#):≤0.13μm
    Ra(2000#):0.065μm
    碎片率(150μm以上):1%
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    晶圓減?。?英寸)

    晶圓基材:硅基材質
    總厚度變化TTV:±3μm
    翹曲度Wrap:≤1mm
    粗糙度Ry(2000#):≤0.13μm
    Ra(2000#):0.065μm
    碎片率(150μm以上):1%

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    晶圓基材:硅基材質
    總厚度變化TTV:±3μm
    翹曲度Wrap:≤1mm
    粗糙度Ry(2000#):≤0.13μm
    Ra(2000#):0.065μm
    碎片率(150μm以上):1%

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