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    晶控,您身邊的晶圓減背專家

    根植半導體晶圓片背面處理之細分領域,
    提供一站式、精細的減、背、劃代工服務;
    傾注半導體產業鏈微薄的有生力量,
    為奮進卓越的“中國芯”增效賦能。?

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    積淀,20年的真空鍍膜技術

    鍍膜技術的厚積薄發,設備資源高標準選配;
    技術團隊的的精雕細琢。
    匯聚交融,迸發精彩,
    成就細分領域最具可靠性的價值選擇。

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    敬畏心,面向尖端科學技術

    擁抱人類智慧的結晶,
    仰望未來科技發展的輝光。
    腳踏實地,審慎精進,
    孜孜不倦,堅實地書寫不一樣的向往。

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    芯技術

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    前瞻性,擁抱技術與變化

    瞄準半導體行業動態,
    探尋技術的更新迭代,
    不息為體,日新為道,
    把握時代脈膊,做最好的自己。

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    用“芯”服務,創造價值

    依托長三角區位發展優勢,
    提供便捷快速的產鏈服務,
    尊重信條,堅守承諾,
    追求卓越,贏得價值、尊嚴和口碑。

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    芯服務

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    晶圓減薄

    晶圓片總厚度約625μm-775μm,薄膜電路層的有效厚度約20-30μm,因此,至少90%的襯底在芯片封裝時是冗余的或有缺陷的。實施晶圓背面減薄,不僅能有效改善劃片封裝環節的效率和良率,更為重要的是能顯著降低芯片的熱阻,大幅提升芯片的機械性能和電氣性能。

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    晶圓背金

    大部分的器件,Fab廠進行正面電路器件植入后,晶圓將依需要進行背面研磨減薄、酸堿法蝕刻,然后在背面蒸鍍金屬膜層。處理后的芯片器件熱阻、工作散熱和冷卻、封裝操作等實現很大的改善。
    采用電子束和熱阻蒸發,提供真空蒸鍍金屬、合金薄膜服務。
    金屬單質:鈦、鎳、銀、金、鉻、鋁、鉑金、釩等。 合金材料:錫銅、錫銻、金鍺、金砷等。
    依據器件的應用場景要求,以及客戶的設計工藝要求,可以提供不同厚度膜系的真空積淀服務。單層膜系 如:Au、Ag。單層膜系 如:Au、Ag。雙層膜系 如:錫-金等。三層膜系 如:鈦-鎳-銀。四層膜系 如:鈦-鎳-錫-銀。多層膜系(共晶)。
    專門的可靠性試驗,牢牢控制薄膜附著力指標,確保合符質量標準要求!

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    晶圓切割

    通常在一張晶圓片上有成千上萬顆晶粒( die),他們由劃片街區連接在一起。一般采用高速旋轉的金剛石切割刀片,將每一個具有獨立電氣性能的晶粒分離出來,他是芯片后續封裝的準備。良好的設備性能和切割技術是減少晶粒崩邊、分層和剝離的要件,也是芯片信賴性的基礎保障。

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    背減劃一站式服務

    提供晶圓背面減薄、背面金屬化、切割劃片一體化服務,一站式服務。為您降低產品過程流轉風險,節省外協作業時間 快速、可靠、省時、省力。
    ?晶圓背面研磨+拋光
    ?晶圓背面研磨+切割劃片
    ?晶圓背面研磨+背面金屬化+切割劃片
    ?晶圓背面金屬化+切割劃片

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